ES1BHE3_A/H
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Deutsch
Artikelnummer: | ES1BHE3_A/H |
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Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.39 |
10+ | $0.315 |
100+ | $0.2142 |
500+ | $0.1607 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 920 mV @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 100 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AC (SMA) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 25 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AC, SMA |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 100 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | ES1 |
ES1BHE3_A/H Einzelheiten PDF [English] | ES1BHE3_A/H PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
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DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
TB DIN END BRACKET 100PC
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() ES1BHE3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes Division |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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